根据国外媒体的报道，4月16日的新闻显示，三星电子在4NM HBM4内存逻辑芯片的初始测试中的产量为40％。这项成就不仅高于该行业的标准起点10％，而且还高于以前的相同过程产品中不到20％的性能。尽管40％的收益率只是最初的成功，但随着技术的不断增长，该数字有望增加。该产量水平为随后开发4纳米HBM4逻辑芯片的开发奠定了相对坚实的基础。以前，在HBM3阶段，三星电子在市场上遇到了重要的挑战，最多可提供HBM记忆市场的70％，分享其主要竞争对手，并且首次成为世界上全球最大的鼓制造商的位置。为了扭转这种情况，三星电子采用了一种更为根本的技术方法来开发HBM4产品。 acco该计划的rding三星将在其12HI HBM4产品中使用1C纳米规模的DRAM芯片和4NM逻辑芯片。尽管逻辑芯片部分的性能更好，但三星似乎在开发1C纳米DRAM芯片方面遇到了一些困难。另一位媒体昨天报道说，自1Z纳米周期以来，电容器泄漏问题存在对质量产量和三星1C纳米DRAM的发展产生重大影响。三星试图通过调整线宽度和其他方法来优化电容器性能，但稳定性尚未达到预期的目标，这可能会延迟1C纳米技术的进步。此外，该行业的相关组织最近发布了HBM4内存的标准，为该技术的未来开发提供了明确的指导指南。小编：根据国外的媒体报道，4月16日的新闻显示，三星电子的初始测试通过4纳米计的过程进行了HBM4内存逻辑芯片的初步测试
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